1、载程序非常快。 RAM 存储器的写入速度比在内部 FLASH 中要快得多，且没有擦除过程，因此在 RAM 上调试程序时程序几乎是秒下的，对于需要频繁改动代码的调试过程，能节约很多时间，省去了烦人的擦除与写入 FLASH 过程。另外，STM32 的内部 FLASH 可擦除次数为 1 万次，虽然一般的调试过程都不会擦除这么多次导致 FLASH 失效，但这确实也是一个考虑使用 RAM 的因素。
2、不改写内部 FLASH 的原有程序。
3、对于内部 FLASH 被锁定的芯片，可以把解锁程序下载到 RAM 上，进行解锁。
缺点：
1、存储在 RAM 上的程序掉电后会丢失，不能像 FLASH 那样保存。
2、SRAM空间较小。
以上就是本次分享的关于RAM调试与FLASH调试的笔记，更多的相关原理、细节可查阅《【野火】零死角玩转STM32—F429挑战者V2.pdf》。可在本公众号嵌入式大杂烩聊天界面回复关键字：调试，进行获取本笔记对应工程及《【野火】零死角玩转STM32—F429挑战者V2.pdf》。本篇笔记如有错误欢迎指出！谢谢
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