但是由于arm上电后系统会将Nand flash的前4KB代码拷贝到SRAM中，也就是_start函数开始的4KB指令将被拷贝到SRAM中执行，根据上例，在0x00000000处执行的指令就是“b reset”，由于b是相对跳转，是在当前pc值的基础上加减某个数而跳转到将要执行的代码处，因此，pc加减该数之后将到达reset函数的位置，故reset函数不能写到4KB之外的空间中，否则arm的启动将会失败，同样的，接下来的几个bl都是执行的相对跳转，所以都相对当前pc进行的跳转，由于Nand flash总共只有64M的空间，所以相对跳转是不可能会跳转到SDRAM的，因为跳转到SDRAM至少要发生0x30000000的跳转，而这个相对位移远远大于64M。
而ldr pc,=Main是将Main函数的实际地址赋值给pc，而Main的实际地址是在0x30000000之后，这样，就从SRAM跳转到了SDRAM。
由于这个过程设计到了硬件格局和编译原理，所以对一般人来讲，理解起来确实比较困难，而且受本人水平限制，很多地方只能说是只可意会不可言传，如果误导了大家请大家谅解。当然如果看到这里还不能理解arm的启动过程可以联系QQ630905224来讨论这个问题。下面是相关的其他代码，我附在这里，2440addr.h没有贴出，由于我也是使用arm自带示例程序中的代码，而且代码有四千多行，多数地址是没有用到的，如果有人需要就联系我的QQ吧。其他的代码如下
代码Init.s#include "2440addr.h" void disable_watch_dog(void); void clock_init(void); void memsetup(void); void copy_steppingstone_to_sdram(void); void inituart(void); void disable_watch_dog(void) { rWTCON = 0; } void clock_init(void) { rCLKDIVN = 0x03; /* *如果HDIVN非0，CPU的总线模式应该从 *“fast bus mode”变为“asynchronous *bus mode” */ __asm__( "mrc p15, 0, r1, c1, c0, 0\n" "orr r1, r1, #0xc0000000\n" "mcr p15, 0, r1, c1, c0, 0\n" ); rMPLLCON = (92<<12)|(1<<4)|(2); //rMPLLCON = ((0x5c<<12)|(0x01<<4)|(0x02)); } void memsetup(void) { volatile unsigned long *p = (volatile unsigned long *)0x48000000; /* 这个函数之所以这样赋值，而不是像前面的实验(比如mmu实验)那样将配置值 * 写在数组中，是因为要生成”位置无关的代码”，使得这个函数可以在被复制到 * SDRAM之前就可以在steppingstone中运行 */ /* 存储控制器13个寄存器的值 */ p[0] = 0x22011110; //BWSCON p[1] = 0x00000700; //BANKCON0 p[2] = 0x00000700; //BANKCON1 p[3] = 0x00000700; //BANKCON2 p[4] = 0x00000700; //BANKCON3 p[5] = 0x00000700; //BANKCON4 p[6] = 0x00000700; //BANKCON5 p[7] = 0x00018005; //BANKCON6 p[8] = 0x00018005; //BANKCON7 /* REFRESH, * HCLK=12MHz: 0x008C07A3, * HCLK=100MHz: 0x008C04F4 */ p[9] = 0x008C04F4; p[10] = 0x000000B1; //BANKSIZE p[11] = 0x00000030; //MRSRB6 p[12] = 0x00000030; //MRSRB7 } void copy_steppingstone_to_sdram(void) { unsigned int *pdwSrc = (unsigned int *)0; unsigned int *pdwDest = (unsigned int *)0x30000000; while (pdwSrc < (unsigned int *)4096) { *pdwDest = *pdwSrc; pdwDest++; pdwSrc++; } }