nand flash 读写操作

如下所示,先输入读命令 0x00 ,然后输入5个地址,分为2个列地址(页内地址)和3个行地址(页和block地址),再输入读确认地址0x30,nand硬件会自动从指定的页的主存储区读数据到页缓存(页寄存器),此时R/B#为低电平,当内部读完成后, R/B# 恢复为高电平,此时便可以通过NFC的数据寄存器读取想要的数据。

nand flash 读写操作

2、Random data output (随机读)

如下图,前部分跟上面提到的一致,再输入30确认读后,读出想要的页的内容。此时若想继续读此页怎么办???

输入05、2个页内地址、E0,然后硬件会从指定的页内地址继续读出数据。

nand flash 读写操作

3、页编程

如下图,编程的操作过程是先输入编程命令80,然后输入5个地址,跟读的地址一样,再输入要编程的数据到页缓存(页寄存器),之后确认开始编程10,等R/B#为高电平时编程结束。 

nand flash 读写操作

4、Random data input (随机输入)

如下图,只要是再输入确认编程命令10之前都可以输入随机输入命令:85、两个列地址、数据。直到最后没有想要再输入的数据,再确认开始编程10。

nand flash 读写操作

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