2.3 串行FLASH：特点是断电数据不会丢失，外部电路简洁，容量较大，一般可以达到几M字节，级联后还可以方便扩容。缺点是速度较慢，而且必须整扇区擦除后才能写入新数据，有擦写次数限制，大概为1万次左右，编程开发较复杂。（好）
2.4 铁电存储器：既有RAM的写入速度极快，又有断电数据不会丢失的特性，优点还有可以以字节为单位进行擦写，擦写次数无限制。但缺点是容量很小一般只有几百K字节，而且价格较贵。（好）
2.5 大容量CF、SD卡：特点是断电数据不会丢失，容量超大，可以达到几G级别，缺点与FLASH都类似，而且必须要有文件系统支持，一旦发生数据错乱，则全部数据无法恢复。（中）
3. IC读卡：这里不讨论卡片的物理类型，只从电路接口分析，一般有两种情况：
3.1 通过单独的MCU来完成寻卡读卡：然后主MCU在和读卡MCU相互之间通过串口进行数据命令交换，这种方式的好处就是开发简单，缺点就是效率低下，二次封装的通讯机制会将读卡功能大大弱化，不能发挥读卡IC芯片的全部功能。 并且将来如果想要升级固件程序，两个MCU要单独烧写下载，非常困难。（很多厂家在宣传的时候称其为双核处理更具优势，其实完全是谎话，成本增加了，功能弱化了，电路复杂了，何来的优势？！）（差）
3.2 直接由一个MCU主控：简洁明了，读卡稳定，效率高。（好）
总结：可以看出，纵向比较大家都容易识别出产品的优劣之分，比如C51单片机和ARM肯定是一眼就可以看出差别的；但是横向比较相对就难以区分，例如后面图片中提到的【低端ARM】+【以太网转换芯片】的设计，可能很多人根本就无法区分到底和高端ARM自带原生以太网的设计有哪些差距？而且通过两个MCU通过串口通讯读IC卡的设计和ARM直接与IC读卡芯片对接的方案有有何差距？通过本文相信大家都可以有一个大概的了解，表现在最终产品上就是会直接导致产品从性能、功能以及稳定性的天壤之别。
其实不同方案的内在技术差别是非常巨大的，特别是在硬件编程技术上，不同方案的技术难度相差巨大，这也是为什么市场上很少见到完全依照ARM芯片特性、完全重新设计的高端方案的原因，毕竟让厂家放弃多年的老产品是非常困难的，因此绝大多数厂家都是用老的产品稍加改造，加个模块或者转换芯片，再换个新的外壳就冒充新产品上市了。
如果投入巨大的人力物力和财力去开发新产品，很多厂家主要是因为力不从心，毕竟这个行业不是什么暴利行业，很多企业维持运作都困难，那就更别提什么研发投入了。而且即便是咬牙投入了，有没有这样的技术实力突破各种难题也是一大问题，毕竟要用全新的硬件平台重新设计，研发风险是巨大且很难准确预估的。
其实行内人士都清楚什么是最好的设计，但是也都清楚自己的实力，知道做不到那就只能做出让步和妥协，因此出现了这么多千奇百怪的产品也就不足为奇了。当然，也有些老产品可能在稳定性上还过得去，对于要求不高的客户，日常使用也是可以的。但是从根本上来讲，这类产品不可能改变被淘汰的命运，现在还选择这类产品的客户，那就非常的不明智了。俗话说得好——站在巨人的肩膀之上，才能看得更高走得更远！
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这种通过外置转换模块的所谓以太网解决方案：（假，极差！）