晶振工作原理及参数详解(最透彻) (3)

晶振工作原理及参数详解(最透彻)

 

上图中,U1为增益很大的反相放大器,CL1、CL2为匹配电容,是电容三点式电路的分压电容,接地点就是分压点。以接地点即分压点为参考点,输入和输出是反相的,但从并联谐振回路即石英晶体两端来看,形成一个正反馈以保证电路持续振荡,它们会稍微影响振荡频率,主要用与微调频率和波形,并影响幅度。 X1是晶体,相当于三点式里面的电感

R1是反馈电阻(一般≥1MΩ),它使反相器在振荡初始时处于线性工作区,R2与匹配电容组成网络,提供180度相移,同时起到限制振荡幅度,防止反向器输出对晶振过驱动将其损坏。

这里涉及到晶振的一个非常重要的参数,即负载电容CL(Load capacitance,它是电路中跨接晶体两端的总的有效电容(不是晶振外接的匹配电容),主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻,与晶体一起决定振荡器电路的工作频率,通过调整负载电容,就可以将振荡器的工作频率微调到标称值。

负载电容的公式如下所示:

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其中,CS为晶体两个管脚间的寄生电容(Shunt Capacitance

CD表示晶体振荡电路输出管脚到地的总电容,包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CO、外加匹配电容CL2,即CD=CPCB+CO+CL2

CG表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容,包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CI、外加匹配电容CL1,即CG=CPCB+CI+CL1

一般CS为1pF左右,CI与CO一般为几个皮法,具体可参考芯片或晶振的数据手册

(这里假设CS=0.8pF,CI=CO=5pF,CPCB=4pF)。

比如规格书上的负载电容值为18pF,则有

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则CD=CG=34.4pF,计算出来的匹配电容值CL1=CL2=25pF

这么复杂,我看不懂,我想用更简单更稳定更精确的器件,有木有?有!

有源晶振将所有与无源晶振及相关的振荡电路封装在一个“盒子”里,不必手动精确匹配外围电路,不同的输出频率应用时,只需要采购一个相应频率的“盒子”即可,不再使用繁杂的公式计算来计算去,可以节省很多脑细胞做其它更多意义的工作。

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封装后的“盒子”示意图如下所示:

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