大家好，我是痞子衡，是正经搞技术的痞子。今天痞子衡给大家介绍的是同一厂商不同系列Flash型号下Dummy Cycle设置方法的差异。
上一篇文章 《在i.MXRT启动头FDCB里调整Flash工作频率也需同步设Dummy Cycle》， 痞子衡是以i.MXRT1170-EVK上板载Flash型号IS25WP128为例来介绍Dummy Cycle设置的。最近痞子衡在支持一个i.MXRT1020客户的问题，需要用到i.MXRT1020-EVK，这个板载Flash是IS25LP064A，跟IS25WP128一样是来自同一Flash厂商ISSI的QSPI NOR产品，痞子衡想当然地认为之前的经验可以直接用在这颗Flash上，于是把FDCB原封不动地拷贝过来直接使用，但是发现i.MXRT1020竟然启动不了，这是怎么回事？
一、同一厂商不同系列Flash型号Dummy Cycle设置差异ISSI（芯成半导体）是一个比较老牌的存储器厂商，规模上不算顶级，但旗下Flash产品线众多，品类很齐全。其中串行NOR产品涵盖QuadSPI NOR、Octal Flash、Twin Quad NOR、HyperFlash等。
ISSI Flash种类： https://www.issi.com/US/product-flash.shtml
恩智浦官方EVK板上选用的是IS25xP系列，属于最常用的QuadSPI NOR大类。这个系列主要分两大类：3.3V供电的IS25WP系列、1.8V供电的IS25LP系列。
前面我们对IS25WP系列Flash的Dummy Cycle设置很了解了，那么IS25LP系列Flash是不是一样的设计呢？我们查看IS25LP064A数据手册来确认一下。
我们找到如下Read Dummy Cycle与最大工作频率的对应表，从表里可以看到当IS25LP工作在Fast Read Quad I/O模式时，默认的6个Dummy Cycle适用的最大工作频率是104MHz（这点上与IS25WP系列是一致的），不过与IS25WP系列不同的是IS25LP系列Dummy Cycle仅有四档（2bit设置，对应4/6/8/10四种值），而IS25WP系列Dummy Cycle有十五档（4bit设置，对应1-15取值），所以Dummy Cycle设计在IS25LP上其实是精简版。
意识到IS25LP与IS25WP在Dummy Cycle设计上的差异，改起来就容易了。我们继续看Flash数据手册，IS25LP064A内部有个8bit的Read Register，其bit4-bit3是Dummy Cycles设置（精简设计一），寄存器类型里标明仅易失性一种属性（精简设计二）。
在IS25LP064A的指令集表里，可以看到专门写Read Register的指令，即SRP指令，注意指令值就是唯一的0xC0（精简设计三）。
分析到这里，额外的小工程修改Dummy Cycle是不可能了，只能老老实实在i.MXRT每次启动时直接借助FDCB启动头里的设置用SRP指令更改Flash的Dummy Cycle，即如下所示：
// 设置Dummy Cycle数 #define FLASH_DUMMY_CYCLES 8 #define FLASH_DUMMY_VALUE 0x2 // 写Read Register时序在LUT中的index（可自定义位置，但不要占BootROM预设的几个时序位置） #define CMD_LUT_SEQ_IDX_SET_READ_PARAM 7 // BootROM中预设的LUT命令时序的index #define CMD_LUT_SEQ_IDX_READ 0 #define CMD_LUT_SEQ_IDX_READSTATUS 1 #define CMD_LUT_SEQ_IDX_WRITEENABLE 3 const flexspi_nor_config_t qspiflash_config = { .memConfig = { .tag = FLEXSPI_CFG_BLK_TAG, .version = FLEXSPI_CFG_BLK_VERSION, .readSampleClkSrc = kFlexSPIReadSampleClk_LoopbackFromDqsPad, .csHoldTime = 3u, .csSetupTime = 3u, // Enable Safe configuration .controllerMiscOption = 0x10, .deviceType = kFlexSpiDeviceType_SerialNOR, .sflashPadType = kSerialFlash_4Pads, .serialClkFreq = kFlexSpiSerialClk_133MHz, .sflashA1Size = 8u * 1024u * 1024u, // 使能Flash寄存器配置操作 .configCmdEnable = 1u, .configModeType[0] = kDeviceConfigCmdType_Generic, // 指示Flash寄存器配置时序在LUT中index .configCmdSeqs[0] = { .seqNum = 1, .seqId = CMD_LUT_SEQ_IDX_SET_READ_PARAM, .reserved = 0, }, // 设定Flash寄存器配置值（这里就是写入Read Register的值） // Note1: 这里写入Read Register的值在IS25WP系列和IS25LP系列有区别 .configCmdArgs[0] = FLASH_DUMMY_VALUE << 3, .lookupTable = { // Fast Read Quad I/O [4*CMD_LUT_SEQ_IDX_READ] = FLEXSPI_LUT_SEQ(CMD_SDR, FLEXSPI_1PAD, 0xEB, RADDR_SDR, FLEXSPI_4PAD, 0x18), [4*CMD_LUT_SEQ_IDX_READ + 1] = FLEXSPI_LUT_SEQ(MODE8_SDR, FLEXSPI_4PAD, 0x00, DUMMY_SDR, FLEXSPI_4PAD, FLASH_DUMMY_CYCLES-2), [4*CMD_LUT_SEQ_IDX_READ + 2] = FLEXSPI_LUT_SEQ(READ_SDR, FLEXSPI_4PAD, 0x04, STOP, FLEXSPI_1PAD, 0x00), // READ STATUS REGISTER [4*CMD_LUT_SEQ_IDX_READSTATUS] = FLEXSPI_LUT_SEQ(CMD_SDR, FLEXSPI_1PAD, 0x05, READ_SDR, FLEXSPI_1PAD, 0x01), [4*CMD_LUT_SEQ_IDX_READSTATUS + 1] = FLEXSPI_LUT_SEQ(STOP, FLEXSPI_1PAD, 0x00, 0, 0, 0), // WRTIE ENABLE [4*CMD_LUT_SEQ_IDX_WRITEENABLE] = FLEXSPI_LUT_SEQ(CMD_SDR, FLEXSPI_1PAD, 0x06, STOP, FLEXSPI_1PAD, 0x00), // Flash寄存器配置时序（这个时序需要上面READ STATUS, WRITE ENABLE的配合） // Note2: 这里写入的指令在IS25WP系列和IS25LP系列有区别 [4*CMD_LUT_SEQ_IDX_SET_READ_PARAM] = FLEXSPI_LUT_SEQ(CMD_SDR, FLEXSPI_1PAD, 0xC0, WRITE_SDR, FLEXSPI_1PAD, 0x01), [4*CMD_LUT_SEQ_IDX_SET_READ_PARAM + 1] = FLEXSPI_LUT_SEQ(STOP, FLEXSPI_1PAD, 0x00, 0, 0, 0), }, }, .pageSize = 256u, .sectorSize = 4u * 1024u, .blockSize = 64u * 1024u, .isUniformBlockSize = false, };至此，同一厂商不同系列Flash型号下Dummy Cycle设置方法的差异痞子衡便介绍完毕了，掌声在哪里~~~
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