设置IROM1的起始地址为0x2000000，大小为0x8000（32KB）；设置IRAM1的起始地址为0x2008000，大小为0x8000（32KB）。即把64KB的SRAM分为32KB的FLASH（当然这是SRAM虚拟出来的FLASH，掉电易失）和16KB的RAM。
（4）C/C++选项设置：
为什么在RAM中调试要设置这个宏而在FLASH中调试却不需要？这是因为我们的中断向量表默认位于FLASH中，而此时我们要在RAM中进行调试，所以需要把中断向量表拷贝到RAM中，相关代码在system_stm32f10x.c的SystemInit函数中：
其实system_stm32f10x.c文件中也有宏VECT_TAB_SRAM相关的代码：
把这行代码打开即可把中断向量表拷贝到RAM中。但是这里选择在C/C++选项选项里添加宏，因为这样可以保证SRAM版本与FLASH版本代码的一致性。
（5）Debug设置：
与在FLASH中调试不同的是，这里需要加入.ini文件：
这个.ini可以自己创建（也可以在芯片支持包里找到），这里我们建为Dbg_RAM.ini。文件里的内容如下：
其中这里的第11行是需要根据实际进行修改的，需要把工程编译得出的.axf格式文件的路径及其文件名填到这里。这里因为我们这里的的.ini文件在.axf的上一级目录：
所以此处以./Objects来表示。如果觉得麻烦的话，可以把.axf文件与.ini放在同一个目录下。
其它的按默认设置即可，然后点击Settings，并进行如下设置:
图中我们需要勾选Verify Code Download及Download to FLASH选项，也就是说点击调试按钮后，本工程的程序会被下载到内部 SRAM 中，只有勾选了这两个选项才能正常仿真。 (至于为什么 FLASH 版本的程序不需要勾选，不太清楚) 。
Download Function中的擦除选项配置为Do not Erase。这是因为数据写入到内部 SRAM 中不需要像 FLASH 那样先擦除后写入。 Programming Algorithm 的地址要与我们Target选项卡里设置的地址一致，否则可能会出现如下错误：
（6）编译，然后按Ctrl+F5进入调试界面，然后点击全速运行：
在Disassembly窗口中可看到地址为0x2000xxxx，说明代码烧进了SRAM中，这时候就可以像使用其他C语言IDE调试C语言程序一样打断点、单步运行我们的STM32程序啦。
以上就是在FLASH中调试与在SRAM中调试的设置方法，调试代码时可以选择SRAM版本的配置，调试完成再切换回FLASH版本的配置，把程序下载到FLASH中。切换方法：
以下来自《【野火】零死角玩转STM32—F429挑战者V2.pdf》。
优点：