（a）集中刷新(存取周期0.5\(\mu s\))
集中刷新是一次刷新存储矩阵中所有的存储单元。即，在数据能保持的这2ms内，分为能读写的周期时间，和不能读写的电路刷新时间。这个刷新时间，也称为"死区“。电路刷新，一次刷新存储矩阵的1行，这个刷新一行的时间等于一个存取周期
eg：当存储矩阵为128128，存取周期为0.5\(\mu s\)时，刷新时间=128 * 0.5 = 64\(\mu s\)，即死区时间占64\(\mu s\)，其死区时间率为\(\frac{64}{2000} = 3.2%\)
（b）分散刷新（存取周期为1\(\mu s\)）
分散刷新是，在每次读写数据后，立刻刷新改行存储矩阵。即一个存取周期=读写时间+电路刷新时间。而读写时间等于电路刷新时间，所以，1个存取周期等于2个读写时间，为20.5=1\(\mu s\)。
分散刷新不存在死区，但是使得一次存取时间变成原来的2倍
（c）异步刷新
异步刷新不在一次刷新所有行，也不再每次读写后立刻刷新，而是保证在2ms内，每一行得到刷新即可。所以其死区时间为0.5\(\mu s\)。如果将刷新安排在指令译码阶段，则不会有死区时间(指令译码阶段，不产生cpu去内存的io)
eg：对于128*128的存储矩阵，把2ms平均到每行为2/128=15.6\(\mu s\)，即每隔15.6\(\mu s\)顺着存储矩阵的行编号，向下个编号刷新。
存储容量的扩展
（1）位扩展
用2片1K4位存储芯片组成1K8位存储器
位扩展没有增加房间号，只是房间里面多住人了。即地址线不变，增加数据线，其他没变化
（2）字扩展（增加存储字的数量）
用1K8位存储芯片组成2K8位的存储器：原来的1K字即10根地址线，变成现在的2K即11根地址线，多出来的1根地址线用来进行片选。
（3）字位扩展
用8片1K4位的存储芯片组成4K8位的存储器。即地址线先扩展4位成\(D_0到D_7\)，然后地址线由原来的10根扩展成12根，新增的2根进行限片选，一次选择2个芯片。此时的片选线变成片选译码器
存储器与CPU的连接
（1）地址线的连接：先连接芯片固有的
（2）数据线的连接：先连接芯片固有的
（3）读写控制线的连接：每个芯片都要连接，包括增加的
（4）片选线的连接：用增加的地址线进行片选线
（5）芯片选择：选择芯片数量组少的解决方案
eg：设CPU有16根地址线，8根数据线。现有以下几种存储芯片：1K4位RAM，4K8位RAM，8K8位RAM，
2K8位ROM，4K8位ROM，8K8位ROM，和74138译码器。请画出CPU和存储器的连接图。要求：
主存地质分配如下：6000H67FFH为系统程序区。6800H6BFFH为用户程序区。
（1） 写出地址对应的二进制码
所谓系统存储区，指的是单片机中存储系统程序的那部分芯片，通常被烧制在ROM里，而用户程序是单片机中跑的程序，运行在RAM中。如上图所示，应该选择1片2K8位ROM，和2片1K4位RAM。
（2）分配地址线：
\(A_{0}~A_{10}\)地址线连接ROM，
\(A_{0}~A_{9}\)地址线连接RAM
（3）确定片选片信号
如上图，只有1片ROM，而且2片RAM是位扩展，不会引起片选，所以只要区分RAM和ROM即可。如图发现，\(A_{12},A_{11},A_{10}\)即可区分ROM和RAM.因此这3位地址线成为片选线。 3.5 双口RAM和多模块存储器 -- 提高访存速度的手段
单体多字系统
（1）把原来的单字长寄存器改变为多字长的寄存器，使得内存一次可以读出多个字。从而增加访存速度
（2）这种设计实际上不存在，因为多字长在跳转指令时会产生顺序读取的数据无效，降低效率